[发明专利]非易失性存储器装置进行编程的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201480057046.5 申请日: 2014-10-16
公开(公告)号: CN105637588B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 戈皮纳特·巴拉克里希南 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C13/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种非易失性存储器利用多个编程循环来将成单位的数据例如数据的逻辑页写入非易失性存储器阵列。在写入之前评估用户数据以确定是否可以跳过对盘位地址的编程。确定是否可以跳过对盘位组的初始集合的编程。如果不可以跳过盘位组,则系统确定该盘位组是否包括可以跳过的单独的盘位。将盘位重组成新的盘位组,以减少在编程期间BAD循环的数量。提供了针对盘位组中的多个盘位的独立的列寻址。在列地址循环期间,向盘位提供分离的列地址,以在每个盘位中选择不同列来进行编程。通过在单个列地址循环期间对多个列地址同时进行编程,系统可以跳过针对一些列地址循环的编程。
搜索关键词: 非易失性存储器 中的 重组 循环 跳过
【主权项】:
1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法,包括:向第一盘位的非易失性存储元件提供第一列地址,其中,所述第一列地址与包括所述第一盘位中的非易失性存储元件和第二盘位的非易失性存储元件的第一列相关联;在向所述第一盘位提供所述第一列地址的同时,向所述第二盘位的非易失性存储元件提供第二列地址,其中,所述第二列地址与包括所述第一盘位和所述第二盘位中的非易失性存储元件的第二列相关联;以及响应于所述第一列地址和所述第二列地址,在第一列地址循环中,对所述第一盘位中的所述第一列的非易失性存储元件的第一部分和所述第二盘位中的所述第二列的非易失性存储元件的第二部分同时进行编程;其中,所述同时进行编程包括:跳过对所述第二盘位中的所述第一列的非易失性存储元件的第二部分的编程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司,未经桑迪士克科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480057046.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top