[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201480059057.7 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105684136A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 印南航介;寺口信明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L21/822;H01L21/8232;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/095;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型的第三晶体管。上述第一晶体管与上述第二晶体管共源共栅连接，上述第三晶体管与上述第二晶体管并联连接。上述第二晶体管和上述第三晶体管各自的截止耐压比上述第一晶体管的截止耐压高，上述第三晶体管的接通时间比上述第二晶体管的接通时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于：包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型的第三晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管共源共栅连接，所述第三晶体管与所述第二晶体管并联连接，所述第二晶体管和所述第三晶体管各自的截止耐压比所述第一晶体管的截止耐压高，所述第三晶体管的接通时间比所述第二晶体管的接通时间短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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