[发明专利]使用低阻抗偏置的记忆效应减小在审

专利信息
申请号: 201480060307.9 申请日: 2014-11-04
公开(公告)号: CN105684302A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: D·M·辛诺夫;何明;W·A·洛伊布 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/30
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要: 一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管和耦合到被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。信号接地电路可以被耦合在被偏置的晶体管和偏置电路的不生成到电源接地的显著的返回电流的一个或多个部件之间。一种方法包括根据使用主源极跟随器电路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流,使用从源极跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压,以及向被偏置的晶体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。
搜索关键词: 使用 阻抗 偏置 记忆 效应 减小
【主权项】:
一种电路,包括:用于被偏置的晶体管的偏置电路,所述偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管以及被耦合到所述被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出,其中所述基准晶体管具有与所述被偏置的晶体管的第二跨导基本相同的第一跨导。
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