[发明专利]基材与DLC膜之间形成的中间层的形成方法、DLC膜形成方法、以及基材与DLC膜之间形成的中间层有效
| 申请号： | 201480060930.4 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105705675B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 渡边元浩;松冈宏之;榊原渉;野上惣一郎 | 申请（专利权）人： | 同和热处理技术株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/14;C23C16/27;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种中间层形成方法，其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法，所述中间层形成在基材与DLC膜之间，其具有在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序，Ti层成膜工序中，向装载基材的腔室内供给Ar气体，以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成Ti层，TiC层成膜工序中，向前述腔室内供给Ar气体和CH4气体，以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力，对基材施加偏置电压比Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于‑100V的第二偏置电压，从而形成TiC层。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 dlc 之间 形成 中间层 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种中间层形成方法，其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法，所述中间层形成在基材与DLC膜之间，其具有：在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在所述Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序，所述Ti层成膜工序中，向装载基材的腔室内供给Ar气体，以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成所述Ti层，所述TiC层成膜工序中，向所述腔室内供给Ar气体和CH4气体，以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力，对基材施加偏置电压比所述Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于‑100V的第二偏置电压，从而形成所述TiC层。
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