[发明专利]具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法有效
| 申请号： | 201480061558.9 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105765748B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·加特力;西瓦艾尔·巴斯拉;克里提·特亚吉;阿瓦尼诗·库玛·斯里瓦斯塔瓦;阿加依·达尔;拉梅什·钱德拉·布汉尼 | 申请（专利权）人： | 科学与工业研究委员会 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26;C01B19/00;B22F9/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;王智 |
| 地址： | 印度*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | 本发明提供具有高热电优值的、作为成本效益热电材料的纳米结构p型硒化铜。本发明要求保护的纳米结构硒化铜是成本效益的p型热电材料，其在973K具有高优值2，并且其通过如下方法合成：利用高能耐球磨法，随后在压力下以高加热率使用放电等离子烧结所得纳米粉末进行反应烧结。烧结的硒化铜示出密度为99.9％的理论密度，并且保持球磨期间引入的纳米级特性，导致973K时热电优值为2。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 热电 纳米 结构 硒化铜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米结构硒化铜，其具有式CuXSeX‑1，其中，X具有1.99至2.01范围内的原子比；其中所述硒化铜是在973K具有高热电优值2的p型热电材料；其中所述硒化铜是通过包括如下步骤的方法获得的：i.以范围在1.97至2.03间的原子比混合铜和硒粉末，以获得混合物；ii.通过使用高能球磨机中的球碾磨步骤(i)中获得的所述混合物与2至4重量百分数的过程控制反应物，以300至400rpm的速度碾磨40至70hr的期间，以获得Cu和Se纳米粉末；ⅲ.在液压机上以0.3至0.5MPa的压力压紧步骤(ii)中获得的纳米粉末，以获得压紧的丸粒；ⅳ.使用放电等离子烧结法在真空下固结步骤(ⅲ)中获得的压紧的丸粒3‑5分钟的期间，随后冷却并释放压力，以获得纳米结构硒化铜。
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