[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。本发明在基板(11)上形成漂移层(12)。另外，在漂移层表面形成离子注入层(13)。另外，在漂移层内形成剩余碳区域(31)。另外，对漂移层进行加热。在形成剩余碳区域的情况下，在比离子注入层和漂移层的界面深的区域中形成剩余碳区域。在对漂移层进行加热的情况下，激活离子注入层的杂质离子而形成激活层(113)，使晶格间碳原子扩散到激活层侧。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，具备：漂移层形成工序，在碳化硅半导体基板上，形成n型的漂移层；离子注入层形成工序，向所述漂移层表面注入作为p型的杂质的杂质离子，形成被注入该杂质离子的离子注入层；剩余碳区域形成工序，在所述漂移层内注入诱导晶格间的碳的离子即晶格间碳诱导离子，形成剩余的晶格间碳原子存在的剩余碳区域；以及加热工序，在所述离子注入层形成工序之后、并且在所述剩余碳区域形成工序之后，对所述漂移层进行加热，所述剩余碳区域形成工序是向比所述离子注入层和所述漂移层的界面深的区域注入所述晶格间碳诱导离子而形成所述剩余碳区域的工序，所述加热工序是通过对所述漂移层进行加热来激活注入到所述离子注入层的所述杂质离子而形成p型的激活层、并且使所述晶格间碳原子扩散到所述激活层侧的工序。