[发明专利]用于制造后段(BEOL)互连中改进的重叠的对角线硬掩模有效
申请号: | 201480063194.8 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN105745746B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | A·M·迈尔斯;K·J·辛格;R·L·布里斯托尔;J·S·沙瓦拉 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 说明了将对角线硬掩模用于制造后段(BEOL)互连中改进的重叠的自对准过孔和插塞。在实施例中,一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在布置于衬底上方的层间电介质层上方形成第一硬掩模层。所述第一硬掩模层包括多条第一硬掩模线,所述多条第一硬掩模线具有在第一方向上的第一光栅,以及包括与所述第一光栅交错的一个或多个牺牲材料。所述方法还包括在所述第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层。所述第二硬掩模层包括多条第二硬掩模线,所述多条第二硬掩模线具有在与所述第一方向成对角线斜交的第二方向上的第二光栅。所述方法还包括使用所述第二光栅作为掩模,蚀刻所述第一硬掩模层以形成图案化的第一硬掩模层。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 后段 beol 互连 改进 重叠 对角线 硬掩模 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的互连结构,所述互连结构包括:层间电介质层,所述层间电介质层布置在衬底上方;以及光栅结构,所述光栅结构布置在所述层间电介质层上方,并且包括共面且交替的电介质硬掩模线和导电线,其中,所述导电线中的一条或多条延伸到所述层间电介质层中,并且所述导电线中的一条或多条不延伸到所述层间电介质层中,其中,所述导电线中的延伸到所述层间电介质层中的一条或多条中的一条延伸且完全穿过所述层间电介质层,以提供去往布置在所述衬底与所述层间电介质层之间的下方金属化层的导电过孔,并且其中,所述导电线中的延伸到所述层间电介质层中的一条或多条中的一条延伸且仅部分进入所述层间电介质层中,以为包括所述层间电介质层的金属化层提供导电金属线。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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