[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201480064729.3 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105765726A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 隣嘉津彦;中川明夫;横尾秀和;铃木英夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;蒋国伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现元件的更微细化或高品质化的绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明的一个实施方式所涉及的绝缘栅双极晶体管的制造方法包括：准备用MCZ法制造的第1导电型半导体衬底。在上述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层(12)、第1导电型发射区(13)和栅极(14)。对上述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使上述半导体衬底薄化；在薄化后的上述第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层(15)。在上述半导体衬底的内部的、与集电层(15)相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于上述半导体衬底的第1导电型缓冲层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括以下工序：准备用MCZ法制作的第1导电型半导体衬底；在所述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层；在所述基层的表面形成第1导电型发射区；在所述第1表面形成与所述发射区、所述基层以及所述半导体衬底绝缘的栅极；对所述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使所述半导体衬底薄化；在薄化后的所述半导体衬底的第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层；在所述半导体衬底的内部且在与所述集电层相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于所述半导体衬底的第1导电型缓冲层。
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