[发明专利]多重图案化参数的测量有效
申请号: | 201480070716.7 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105849885B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | A·V·舒杰葛洛夫;S·克里许南;K·皮特林茨;T·G·奇乌拉;N·沙皮恩;S·I·潘戴夫 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明呈现用于评估多重图案化工艺的性能的方法和系统。测量经图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引起的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中,测量单个图案化目标和多重图案化目标,所收集数据拟合到经组合测量模型,且基于所述拟合确定指示由所述多重图案化工艺引起的几何误差的结构参数的值。在一些其它实例中,收集并分析具有不同于零的衍射级的光以确定指示由多重图案化工艺引起的几何误差的结构参数的值。在一些实施例中,收集不同于零的单个衍射级。在一些实例中,设计度量目标以增强以不同于零的级衍射的光。 | ||
搜索关键词: | 多重 图案 参数 测量 | ||
【主权项】:
一种改进测量的方法,其包括:接收与半导体晶片的表面上的第一多个测量位点的测量相关联的第一数量的测量数据,其中所述第一多个测量位点中的每一者包含单个图案化度量目标和多重图案化度量目标,所述单个图案化度量目标具有由多重图案化工艺的第一图案化步骤产生的第一光栅间距,所述多重图案化度量目标具有由所述多重图案化工艺的所述第一图案化步骤和后续图案化步骤产生的第二光栅间距,其中所述单个图案化度量目标和所述多重图案化度量目标被安置成在每一测量位点处彼此相邻;基于所述第一数量的测量数据和经组合测量模型通过计算系统确定与所述第一多个测量位点中的每一者相关联的至少一个结构参数值,其中特征化所述单个图案化度量目标的模型参数和特征化所述多重图案化度量目标的模型参数连结于所述经组合测量模型中,且其中所述至少一个结构参数值指示由所述多重图案化工艺引起的几何误差;以及将所述至少一个结构参数值存储在存储器中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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