[发明专利]用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构有效
| 申请号： | 201480081541.X | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106716606B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | J·D·布鲁克斯;S·科萨拉朱;P·S·普列汉诺夫;A·伊克巴勒 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开内容的实施例描述了用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术。在一个实施例中，一种设备包括具有多个布线特征的电介质层；以及蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有与电介质层耦合的第一界面区域以及与第一界面区域相对设置的第二界面区域。第一界面区域具有跨第一界面区域均匀分布的峰值二氧化硅(SiO |
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| 搜索关键词： | 用于 氧化 等离子体 处理 减少 光刻 中毒 技术 相关 结构 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：电介质层，所述电介质层具有多个布线特征；以及蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有与所述电介质层耦合的第一界面区域以及与所述第一界面区域相对设置的第二界面区域；其中，所述第一界面区域具有跨所述第一界面区域均匀分布的峰值二氧化硅(SiO2)浓度水平，并且所述第二界面区域具有基本上为零的二氧化硅(SiO2)浓度水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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