[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201480082015.5 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107075694A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 山中信明;近森大亮;香月真一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其具有：准备工序，准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液；流动工序，在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀；以及处理工序，在开始所述流动工序之后将具有抗蚀膜及金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。
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