[发明专利]源极/漏极至氮化镓晶体管中的2D电子气的低接触电阻再生长有效
| 申请号： | 201480082362.8 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106796953B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;S·K·加德纳;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书涉及包括至少一个源极/漏极结构的氮化镓晶体管，该源极/漏极结构具有在氮化镓晶体管的2D电子气与源极/漏极结构之间的低接触电阻。低接触电阻可以是源极/漏极结构的至少一部分作为邻接2D电子气的单晶结构的结果。在一个实施例中，单晶结构与用作成核位置的氮化镓晶体管的电荷感应层的一部分一起生长。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 极至 氮化 晶体管 中的 电子 接触 电阻 再生 | ||
【主权项】：
一种微电子结构，包括：氮化镓层；位于所述氮化镓层上的电荷感应层；位于所述氮化镓层内的2D电子气；以及包括邻接所述2D电子气的单晶部分的源极/漏极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480082362.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种隔爆型矿用计算机
- 下一篇：一种具有护目防尘功能的计算机显示器
- 同类专利
- 专利分类
