[发明专利]伪电阻电路和电荷检测电路有效
| 申请号： | 201480082684.2 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106796833B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 井田隼平;李海承 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所;麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01C7/06 | 分类号： | H01C7/06;H01C7/108;H01C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘剑颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了能够抑制电阻值随着过程或温度的波动而产生的波动并便于调整的伪电阻电路。该伪电阻电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、生成与绝对温度大致成正比的第一电流的第一电流源、以及生成与绝对温度成大致线性函数关系的第一电压的电压源。第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极连接在一起，第二MOSFET被连接成二极管，第一电流被提供给第二MOSFET的漏极，第一电压被提供给第二MOSFET的源极，且在第一MOSFET的漏极和源极之间形成其电阻值取决于第一MOSFET的栅极电压的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 电路 电荷 检测 | ||
【主权项】：
1.一种伪电阻电路，包括：第一MOSFET，具有漏极、源极和栅极；第二MOSFET，具有漏极、源极和栅极，所述第二MOSFET的栅极耦接到所述第一MOSFET的栅极，所述第二MOSFET被连接成二极管；第一电流源，耦接到所述第二MOSFET的漏极，并被配置为生成与绝对温度大致成正比的第一电流；以及电压源，耦接到所述第二MOSFET的源极，并被配置为生成第一电压，所述第一电压是绝对温度的大致线性函数，其中，在所述第一MOSFET的漏极和源极之间形成电阻器，所述电阻器的电阻值取决于所述第一MOSFET的栅极电压，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是N通道MOSFET，所述电压源生成的所述第一电压在绝对零度处与所述第一MOSFET的源极电压大致相等。
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