[发明专利]半桥功率半导体模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480083659.6 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN107155372B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 谷本智 申请(专利权)人: 日产自动车株式会社
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/498;H01L23/49;H01L25/07;H02M7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘晓迪
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15,绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半桥功率半导体模块,其特征在于,具备:绝缘配线基板,其包括一张绝缘板、在所述绝缘板之上相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥接配线导体及负极配线导体、在所述绝缘板之上配置的栅极信号配线导体和源极信号配线导体;一个以上的高侧功率半导体装置,其背面电极接合在所述正极配线导体之上;一个以上的低侧功率半导体装置,其背面电极接合在所述桥接配线导体之上;桥接端子,其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间与所述桥接配线导体连接;高侧端子,其在所述高侧功率半导体装置与所述桥接端子之间与所述正极配线导体连接;低侧端子,其在所述桥接端子与所述低侧功率半导体装置之间与所述负极配线导体连接;高侧连接机构,其连接所述高侧功率半导体装置的表面电极和所述桥接配线导体;低侧连接机构,其连接所述低侧功率半导体装置的表面电极和所述负极配线导体;栅极信号端子,其是与所述栅极信号配线导体连接的平板状的端子;源极信号端子,其是与所述源极信号配线导体连接的平板状的端子;栅极信号连接机构,其连接所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置的至少一方的栅极电极和所述栅极信号配线导体;源极信号连接机构,其连接所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置的至少一方的源极电极和所述源极信号配线导体,从所述绝缘板的主面的法线方向观察,所述负极配线导体隔着空隙被所述桥接配线导体包围,所述栅极信号连接机构和所述源极信号连接机构相互平行地配置,所述栅极信号端子和所述源极信号端子相互平行地配置,以所述栅极信号端子的平板部和所述源极信号端子的平板部相互相对且接近的方式,所述栅极信号端子从所述栅极信号配线导体的接近所述源极信号配线导体侧的区域起,沿所述绝缘板的主面的法线方向立起,所述源极信号端子从所述源极信号配线导体的接近所述栅极信号配线导体侧的区域起,沿所述绝缘板的主面的法线方向立起。
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