[发明专利]搬送装置的控制装置有效
申请号: | 201480084382.9 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN107155370B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 中矢敦史;冈田拓之;吉田雅也 | 申请(专利权)人: | 川崎重工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B25J19/06;G05B9/02;G05B19/18;G05B23/02;H02P29/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 控制装置(3)具备控制器(33),控制器(33)在劣化指标参数的值超过预先设定的阈值时使搬送机构(5)停止,且基于劣化指标参数的值的时间序列的变化模式,判定劣化指标参数值超过阈值是否是因搬送机构(5)的老化引起,在判定为劣化指标参数值超过阈值是因搬送机构(5)的老化引起的情况下,使搬送机构(5)降低动作速度地动作。 | ||
搜索关键词: | 装置 控制 | ||
【主权项】:
一种搬送装置的控制装置,是形成为对伺服电机进行位置控制同时通过该伺服电机驱动搬送机构的结构的搬送装置的控制装置,其特征在于,具备:取得作为所述位置控制时电机的位置偏差及流至电机的电流的至少一方的劣化指标参数的值的时间序列的取得器;将取得的所述劣化指标参数的值的时间序列进行存储的存储器;和控制器,该控制器在所述劣化指标参数的值超过预先设定的阈值时使所述搬送机构停止,且基于所述劣化指标参数的值的时间序列的变化模式来判定所述劣化指标参数值超过所述阈值是否是因所述搬送机构的老化引起,在判定为所述劣化指标参数值超过所述阈值是因所述搬送机构的老化引起的情况下,使所述搬送机构降低动作速度地动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造