[发明专利]在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片及半导体尺寸晶片处理方法在审

专利信息
申请号: 201480084439.5 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN107112256A 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 申请(专利权)人: 卡尔·海因茨·普利瓦西尔
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,杨薇
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及在处理半导体尺寸晶片(W)中使用的保护片(10)。保护片(10)包括大致圆形的基片(12),和大致环形的粘合剂层(14),该大致环形的粘合剂层涂敷至基片(12)的第一表面的周围部分。粘合剂层(14)的内径小于半导体尺寸晶片(W)的直径。而且,粘合剂层(14)的外径大于用于保持半导体尺寸晶片(W)的半导体尺寸环形框(20)的内径。本发明还涉及半导体尺寸晶片处理方法,该方法包括以下步骤经由基片(12)的第一表面上的粘合剂层(14)将保护片(10)附接至半导体尺寸晶片(W)的前侧(50)或背侧(52),使得粘合剂层(14)的内周部分粘合至晶片(W)的前侧(50)或背侧(52)的外围部分,并且在保护片(10)已经附接至晶片(W)的前侧(50)或背侧(52)之后,处理晶片(W)。
搜索关键词: 处理 半导体 尺寸 晶片 使用 保护 方法
【主权项】:
一种在处理半导体尺寸晶片(W)中使用的保护片(10),该保护片(10)包括:大致圆形的基片(12),以及大致环形的粘合剂层(14),该大致环形的粘合剂层(14)涂敷至所述基片(12)的第一表面的周围部分,其中,所述粘合剂层(14)的内径小于所述半导体尺寸晶片(W)的直径,并且所述粘合剂层(14)的外径大于用于保持所述半导体尺寸晶片(W)的半导体尺寸环形框(20)的内径。
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