[其他]半导体装置有效
| 申请号： | 201490000315.X | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN205282447U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 加藤登;中矶俊幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/12;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置。SED保护器件(1)，其具备：Si基板(10)，其形成有ESD保护电路(10A)；焊盘(P1、P2)，其形成于Si基板(10)，并成为ESD保护电路(10A)的输入输出端；树脂层(22)，其形成于Si基板(10)；Ti/Cu/Ti电极(21A、21B)，其形成于树脂层(22)，并与焊盘(P1、P2)导通；外部电极(23A、23B)，其形成于Ti/Cu/Ti电极(21A、21B)的一部分；以及树脂层(26)，其形成在俯视下使外部电极(23A、23B)的比周缘部更靠内侧的一部分露出的开口(26A、26B)。由此，提供避免由于布线电极的氧化或者腐蚀引起的布线电极的电阻值增大的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其焊接安装于基板，所述半导体装置的特征在于，具备：半导体基板，其形成有功能元件；金属膜，其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面，并与所述功能元件连接；绝缘层，其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面；布线电极，其以与所述半导体基板的所述功能元件形成面对置的方式形成于所述绝缘层，并与所述金属膜导通；外部电极，其形成于所述布线电极上的一部分，并焊接于所述基板；以及绝缘树脂层，其形成在俯视下使所述外部电极的比周缘部更靠内侧的一部分露出的开口，所述绝缘树脂层形成于所述绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201490000315.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
