[发明专利]一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管在审
| 申请号： | 201510003545.2 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617143A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱伟民;邓晓军 | 申请（专利权）人： | 无锡友达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，属于半导体器件的技术领域，包括：P型衬底、N型埋层、P型外延层、第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区、设置在各有源区之间的场区、深N阱、浅P阱、N+注入扩散区、浅N阱、P+注入扩散区、浅P阱和背栅N阱区之间的P型注入层，在保证耐压的同时减小了导通电阻，并减小了器件面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 通电 横向 扩散 mos | ||
【主权项】：
一种减小导通电阻的P型横向双扩散MOS管，包括：P型衬底，设在所述P型衬底上的N型埋层，设在所述N型埋层上的P型外延层，依次间隔设置在P型外延层表面上的第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区，设置在各有源区之间的场区，从P型外延层上第一有源区、第五有源区的位置分别向下扩散至N型埋层的深N阱，所述深N阱与N型埋层相对通，在每一个深N阱中设有一个浅N阱，所述浅N阱内有N+注入扩散区，P型外延层上第二有源区、第四有源区的位置分别设有浅P阱，浅P阱内有P+注入扩散区，所述P+注入扩散区为漏极，P型外延层上第三有源区的位置设有背栅N阱区，背栅N阱区内有N+注入扩散区、P+注入扩散区，P+注入扩散区上表面覆盖有多晶硅，多晶硅延伸至相邻场区上表面，所述P+注入扩散区为源极，所述N+注入扩散区为背栅，其特征在于：浅P阱和背栅N阱区之间有P型注入层。
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