[发明专利]标记检测方法有效
申请号: | 201510004917.3 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN104779191B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 福士畅之 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种标记检测方法,其能够在短时间内高精度地检测出表示晶片的晶体取向的标记。标记检测方法是从保持于保持工作台(5)上的晶片(W)的外周检测凹口(N)的方法,构成为,使保持工作台进行分度旋转,对晶片的外周的至少3个部位摄像并检测出晶片的外周的3个点的坐标,根据3个点的坐标计算出晶片的中心并实施晶片相对于保持工作台的定心,一边使保持工作台连续地旋转一周,一边使用与晶片的外周相对应的一部分摄像区域对晶片的外周在整周的范围内摄像,检测出凹口所位于的角度。 | ||
搜索关键词: | 标记 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种标记检测方法,所述标记检测方法是使用加工装置进行的晶片的标记检测方法,所述加工装置具备:保持工作台,其以面积比圆板状的晶片小的抽吸保持面来对晶片的中央进行抽吸保持,所述晶片在外周具有表示晶体取向的标记;旋转构件,其使所述保持工作台以该保持工作台的中心为轴,并且以高速和低速至少两个阶段的速度旋转;角度指定部,其指定通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度;角度检测部,其检测通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度;摄像构件,其通过该旋转构件使该保持工作台旋转并对晶片的外周进行摄像;坐标存储部,其存储该摄像构件在该角度检测部检测出的旋转角度处拍摄的晶片的外周的指定位置的坐标;和抽吸保持位置变更构件,其变更由该保持工作台抽吸保持的晶片的抽吸保持位置,其中,所述标记检测方法包括:外周坐标存储工序,在该外周坐标存储工序中,通过该旋转构件以该角度指定部所指定的角度使该保持工作台高速地进行分度旋转,并且,该坐标存储部存储由该摄像构件对晶片的外周进行摄像所得到的晶片的外周的至少3个部位的坐标;中心计算工序,在该中心计算工序中,使用在该外周坐标存储工序中存储的至少3个部位的坐标来计算晶片的中心;晶片定心工序,在该晶片定心工序中,使用该抽吸保持位置变更构件使在该中心计算工序中计算出的晶片的中心与预先存储的该保持工作台的中心一致;和标记检测工序,在该标记检测工序中,使用由该摄像构件拍摄而得的摄像图像中拍摄了晶片外周的限定的像素,通过该旋转构件使抽吸保持着在该晶片定心工序中被定心后的晶片的该保持工作台以比该外周坐标存储工序低的速度连续旋转,对晶片的整个外周进行摄像而检测出该标记所处的角度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510004917.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件的制造方法
- 下一篇:导电性球搭载头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造