[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510010076.7 | 申请日: | 2015-01-08 |
公开(公告)号: | CN104617104B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 舒适;孙双;崔承镇;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板制作方法,包括在衬底基板上形成包括遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅线、公共电极线和栅极的图形;形成层间绝缘薄膜,并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化,形成源漏金属薄膜和第二光刻胶,通过所述第一光刻胶和第二光刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形;形成包括有机绝缘层和公共电极的图形,并连接跨越栅线和公共电极线的数据线;形成包括钝化层、像素电极的图形。还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明形成层间绝缘层、源极和漏极只需一次mask工艺,相对于现有技术减少一次mask次数,从而降低了工艺复杂度和工艺成本,提高了产率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成包括遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅线、公共电极线和栅极的图形;形成层间绝缘薄膜,并利用第一光刻胶对所述层间绝缘薄膜图案化,形成源漏金属薄膜和第二光刻胶,通过所述第一光刻胶和第二光刻胶配合形成层间绝缘层、源极、漏极和数据线的图形;形成包括有机绝缘层和公共电极的图形,并连接跨越栅线和公共电极线的数据线;形成包括钝化层、像素电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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