[发明专利]磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法有效
| 申请号： | 201510014624.3 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104611676B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘玉华;方凤军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C03C17/245 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备，包括依次相连的镀膜腔室、过渡室、缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室；所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m。这种磁控溅射镀膜设备，通过控制镀完ITO膜的ITO玻璃从温度较高的镀膜腔室依次通过过渡室、缓冲室、出口锁定室和出口室后，通过温度很低的骤冷室，使得镀ITO膜的玻璃基板的温度快速降低至50℃以下，通过骤冷的方式提升ITO膜层的硬度，制得ITO膜层硬度更高的ITO玻璃。本发明还公开了一种采用上述磁控溅射镀膜设备的ITO玻璃的制备方法。 | ||
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【主权项】：
一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括依次相连的镀膜腔室、过渡室、缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室；所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m；所述镀膜腔室、所述过渡室、所述缓冲室、所述出口锁定室和所述出口室呈直线式排列。
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