[发明专利]抗闩锁效应微处理器复位电路在审
申请号: | 201510019748.0 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN104503559A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 侯立功;刘全胜;陈天娥;吴伟;肖颖;侯正昌;陆秋俊;王欣 | 申请(专利权)人: | 无锡职业技术学院 |
主分类号: | G06F1/24 | 分类号: | G06F1/24 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 奚胜元;奚晓宁 |
地址: | 214121 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明抗闩锁效应微处理器复位电路涉及电子技术应用领域,具体为一种复位电路,能够有效避免复位信号对微处理器带来的闩锁触发风险。包括一阶复位电路、掉电检测电路和泄流通道,掉电检测电路和一阶复位电路之间通过光耦连接;所述一阶复位电路由电阻和第一电容串接组成;掉电检测电路由二极管、第二电容和光耦内部的发光二极管组成,二极管的阳极以及发光二极管的阴极分别与电源相连,第二电容的正极、二极管的阴极分别与发光二极管的阳极相连,第二电容的负极接地;泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的元件组成;所述元件为第一电容或电阻。 | ||
搜索关键词: | 抗闩锁 效应 微处理器 复位 电路 | ||
【主权项】:
一种抗闩锁效应微处理器复位电路,其特征在于:包括一阶复位电路、掉电检测电路和泄流通道,掉电检测电路和一阶复位电路之间通过光耦连接;所述一阶复位电路由电阻和第一电容串接组成;掉电检测电路由二极管、第二电容和光耦内部的发光二极管组成,二极管的阳极以及发光二极管的阴极分别与电源相连,第二电容的正极、二极管的阴极分别与发光二极管的阳极相连,第二电容的负极接地;泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的元件组成;所述元件为第一电容或电阻。
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