[发明专利]用于高压互连的浮动保护环有效
申请号: | 201510019796.X | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN104821316B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,徐雯琼 |
地址: | 美国加利福尼亚9408*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于高压互连的浮动保护环。本发明提出了一种集成电路,包括一个第一导电类型半导体的衬底,一个设置在衬底上方的第一导电类型半导体的轻掺杂半导体层,一个驱动电路,一个形成半导体层上方并且一端电连接到驱动电路的导电互连结构,形成在半导体层中以及互连结构下方的至少一个保护结构,以及一个形成在半导体层顶部的第一导电类型半导体的阱区,在驱动电路和至少一个保护结构之间以及互连结构下方。保护结构为电浮动。 | ||
搜索关键词: | 用于 高压 互连 浮动 保护环 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包括:一个第一导电类型半导体的衬底;一个第一导电类型半导体的轻掺杂半导体层,设置在衬底上方;一个驱动电路,包括一个第二导电类型半导体的第一掺杂区,设置在半导体层中;一个导电互连结构,形成在半导体层上方,并且一端电连接到驱动电路;至少一个保护结构,均形成在半导体层中,且位于互连结构下方,其中所述的至少一个保护结构电浮动;以及一个第一导电类型半导体的阱区,形成在半导体层顶部以及互连结构下方,其中所述的阱区设置在驱动电路和所述的至少一个保护结构之间,且该阱区的掺杂浓度高于半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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