[发明专利]一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法有效

专利信息
申请号: 201510022756.0 申请日: 2015-01-16
公开(公告)号: CN104535294B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 许燕斌;裴仰;董峰 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01M10/00 分类号: G01M10/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法,适用于泡状流层析成像,包括根据被测场域,获取重建所需的相对边界测量值向量b和灵敏度矩阵A;利用Tikhonov正则化,计算并绘制L‑曲线;判断L‑曲线是否存在局部拐点;若不存在局部拐点,则通过L‑曲线法确定优化选取的正则化系数;若存在局部拐点,通过修正的L‑曲线法确定优化选取的正则化系数,方法为通过计算L‑曲线二阶微分的第二大峰值确定曲线的局部拐点,并将此局部拐点对应的正则化系数作为优化选取的系数;将正则化系数代入Tikhonov正则化中进行图像重建逆问题求解;成像。本发明有利于电学层析成像逆问题的精确求解,提高了图像重建质量。
搜索关键词: 一种 基于 微分 修正 曲线 电学 层析 成像 重建 方法
【主权项】:
一种基于二阶微分的修正L曲线电学层析成像重建方法,适用于泡状流层析成像,该方法将电学层析成像问题看作一个线性不适定问题Ax=b,其中,A为灵敏度矩阵,b为相对边界测量值向量,x为所求成像灰度值,包含有以下步骤:(1)根据被测场域,获取重建所需的相对边界测量值向量b和灵敏度矩阵A;(2)利用Tikhonov正则化,计算并绘制L‑曲线;(3)判断L‑曲线是否存在局部拐点;(4)若不存在局部拐点,则通过L‑曲线法确定优化选取的正则化系数;若存在局部拐点,通过修正的L‑曲线法确定优化选取的正则化系数,方法为:通过计算L‑曲线二阶微分的第二大峰值确定曲线的局部拐点,并将此局部拐点对应的正则化系数作为优化选取的正则化系数;(5)将优化选取的正则化系数代入Tikhonov正则化中进行图像重建逆问题求解;(6)根据求解所得灰度值进行成像。
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