[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201510027639.3 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN104821324A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 大石周 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一个实施方式,提供固体摄像装置。固体摄像装置具备半导体层、绝缘膜、电极以及电压施加部。半导体层中,将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件以二维阵列状配置。绝缘膜形成在半导体层的入射光所入射的一侧的表面。电极形成在绝缘膜的与半导体层侧相反的一侧的表面,且将各光电变换元件的受光区域包围。电压施加部向电极施加规定的电压。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其特征在于,具备:半导体层,以二维阵列状配置有将入射光向电荷进行光电变换并积累的光电变换元件;绝缘膜,形成在上述半导体层的入射上述入射光的一侧的表面;电极,形成在上述绝缘膜的与上述半导体层侧相反的一侧的表面,且将各上述光电变换元件的受光区域包围;以及电压施加部,向上述电极施加规定的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510027639.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电导体及其制造和使用方法
- 下一篇:半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的