[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构；沉积电流阻挡层在p型氮化物半导体层上，利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案；沉积透明导电层在p型氮化物半导体层及电流阻挡层上；利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，得到凸台；沉积绝缘层；黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，同时沉积P型电极、N型电极，后利用剥离制程去除光阻，制成圆片；最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明还原了N型焊盘下方的有源层，解决有源层蚀刻过多的问题，改善光电特性，发光面积变大，操作电压下降，亮度上升。

主权项

一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；沉积电流阻挡层在所述p型氮化物半导体层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案，再蚀刻电流阻挡层、后去除光阻，得到电流阻挡层；沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体层及电流阻挡层上，并利用黄光蚀刻制程定义所述透明导电层图案，再蚀刻透明导电层、最后去除光阻，得到透明导电层；利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻p型氮化物半导体层和有源层，而暴露n型氮化物半导体层，最后去除光阻，得到凸台，且凸台的上表面有电流阻挡层及透明导电层；沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要参于电流分布的图案，再蚀刻绝缘层，最后去除光阻；黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案，同时沉积P型电极、N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述N型电极包括：N型线电极与N型焊盘，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层被部分蚀刻掉，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层上；所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述绝缘层上；所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上、所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间；所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述P型电极包括：P型焊盘与P型线电极，所述P型电极沉积在所述凸台上，所述N型焊盘与所述P型焊盘之间的高度差低于或等于300nm；最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。