[发明专利]元件的制造方法有效
申请号: | 201510029812.3 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN104617043B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 普翰屏;楼百尧;王宗鼎;萧景文;卿恺明;郭正铮;邱文智;鲁定中;侯上勇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/50 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底,包括多个芯片,芯片间是以切割线区域分隔,其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层,形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中,提供第一基底,其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层,于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底,其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层,于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底,形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题,改善生产合格率。 | ||
搜索关键词: | 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种元件的制造方法,包括:提供一第一基底,包括多个第一芯片,所述多个第一芯片间是以一第一切割线区域分隔,其中该第一基底上至少形成一第一结构层;以黄光光刻和蚀刻工艺移除该第一切割线区域中的部分该第一结构层,形成多个第一开口及暴露该第一基底,其中所述多个第一开口分别具有一平坦底面,该平坦底面与该第一基底的一顶面具有相同的水平;提供一第二基底,包括多个第二芯片,所述多个第二芯片间是以一第二切割线区域分隔,其中该第二基底上至少形成一第二结构层;以黄光光刻和蚀刻工艺移除该第二切割线区域中的部分该第二结构层,形成多个第二开口及暴露该第二基底,其中所述多个第二开口分别具有一平坦底面,该平坦底面与该第二基底的一顶面具有相同的水平;接合该第一结构层和该第二结构层,形成一堆叠结构,其中该第一切割线区域对齐该第二切割线区域,所述多个第一开口对齐所述多个第二开口,且所述多个第一开口和所述多个第二开口共同形成该堆叠结构的多个凹穴;以及沿着该第一切割线区域和该第二切割线区域,以穿过所述多个凹穴的方式,以激光束照射的方式切割该堆叠结构,其中所述多个凹穴仅邻近所述多个第一芯片和所述多个第二芯片的边角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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