[发明专利]电子部件、布置和方法有效
申请号: | 201510044116.X | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN104810299B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | M·斯坦丁 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H05K3/34 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 一种方法包括将焊膏涂覆至一部分电路板,布置第一电子部件的第一接触焊盘与该焊膏层邻近,该第一电子部件包括介电层、至少一个半导体裸片、至少一个第一接触焊盘和至少一个第二接触焊盘,该至少一个半导体裸片被埋置在该介电层中,该至少一个第一接触焊盘被电耦接至该半导体裸片并且被布置在该介电层的下侧面上,该至少一个第二接触焊盘被放置在介电层的上侧面上,以及使该焊膏熔化以产生熔化的焊料,熔化的焊料流至该第一电子部件的第一接触焊盘和第二接触焊盘中的至少一个焊盘之上。 | ||
搜索关键词: | 电子 部件 布置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种装配电子部件的方法,包括:将焊膏涂覆至一部分电路板;布置第一电子部件的第一接触焊盘与所述焊膏的一个层邻近,所述第一电子部件包括介电层、至少一个半导体裸片、至少一个第一接触焊盘以及至少一个第二接触焊盘,所述至少一个半导体裸片被埋置在所述介电层中,所述至少一个第一接触焊盘被电耦接至所述半导体裸片并且被布置在所述介电层的下侧面上,所述至少一个第二接触焊盘被放置在所述介电层的上侧面上;以及使所述焊膏熔化以产生熔化的焊料,所述熔化的焊料流至所述第一电子部件的所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘中的至少一个焊盘之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造