[发明专利]具钝化层的太阳能电池及其制程方法在审
申请号: | 201510045608.0 | 申请日: | 2015-01-29 |
公开(公告)号: | CN104867990A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 杨美环;童钧彦;许晋維;吴振良;陈坤贤;赵伟胜;彭英杰;黄德智;庄明战 | 申请(专利权)人: | 美环能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张秋越 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池包含一垂直多接面电池与一钝化层。该垂直多接面电池具有彼此相互间隔的多个PN接面结构及多个电极层。各PN接面结构包含一P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺杂层与一N+型扩散掺杂层。各电极层系配置并连接于两邻近PN接面结构之间,且具有一显露面。该钝化层覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面、及该电极层的该显露面。一种制造该太阳能电池的制程方法包含提供一垂直多接面电池与在该垂直多接面电池上形成一钝化层。 | ||
搜索关键词: | 钝化 太阳能电池 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:一垂直多接面电池,其具有多个PN接面结构及多个电极层,其中,该PN接面结构彼此相互间隔,且各PN接面结构包含一P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺杂层与一N+型扩散掺杂层,其中该P+型扩散掺杂层具有一P+型端面,且该P型扩散掺杂层连接至该P+型端面并具有一P型端面,该N型扩散掺杂层连接至该P型扩散掺杂层并具有一N型端面,及该N+型扩散掺杂层连接至该N型扩散掺杂层并具有一N+型端面,且各电极层配置并连接于两邻近PN接面结构之间,其具有一显露面;以及 一钝化层,其覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面及该电极层的该显露面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的