[发明专利]半导体存储器件、具有其的存储系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201510050410.1 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105280235B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 安致昱;李珉圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例可以提供一种半导体存储器件，其包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元；外围电路单元，其被配置成针对选自多个存储器单元的存储器单元执行编程操作，其中，第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行；以及控制逻辑，其被配置成控制外围电路单元来执行第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作，并且将在第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压，以及将在第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比第二编程电压大第二步进电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 具有 存储系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路单元，其被配置成针对选自所述多个存储器单元的存储器单元执行编程操作，其中，第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行；以及控制逻辑，其被配置成控制所述外围电路单元，以执行所述第一编程电压施加操作至所述第三编程电压施加操作和所述第一验证操作至所述第三验证操作，并且将在所述第二编程电压施加操作期间施加的第二编程电压增加比在所述第一编程电压施加操作期间施加的第一编程电压大第一步进电压，以及将在所述第三编程电压施加操作期间施加的第三编程电压增加比所述第二编程电压大第二步进电压。
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