[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510051887.1 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN104637955B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 舒适;孙双;曹占锋;孔祥春;齐永莲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,用以减少掩膜板数量,缩短工艺时间,提高生产效率,节约生产成本。所述方法包括通过一次构图工艺在衬底基板上制作遮光层、扫描线和信号线,扫描线和信号线的交叉位置处,信号线/扫描线断开;在完成上述步骤的衬底基板上制作缓冲层;分别通过两次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次多晶硅有源层和栅极绝缘层;通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线;分别通过四次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作有机绝缘层、公共电极层、钝化层和像素电极层。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:通过一次构图工艺在衬底基板上制作遮光层、扫描线和信号线,扫描线和信号线的交叉位置处,信号线/扫描线断开;在完成上述步骤的衬底基板上制作缓冲层;分别通过两次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作多晶硅有源层和栅极绝缘层;通过一次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极、源极、漏极、信号线/扫描线的搭接线和栅极与扫描线连接的连接线;分别通过四次构图工艺在完成上述步骤的衬底基板上依次制作有机绝缘层、公共电极层、钝化层和像素电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510051887.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的