[发明专利]字线电压产生电路以及存储器有效
申请号: | 201510052258.0 | 申请日: | 2015-01-31 |
公开(公告)号: | CN104616691B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 李山 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明的字线电压产生电路,包括电压转换电路,连接于控制信号线与第一节点之间;延迟电路,连接于所述第一节点与第二节点之间;第一电容,串联于延迟电路与第二节点之间;第一PMOS晶体管,其源极连接第一电源端、漏极连接第二节点,栅极连接第三节点;第二PMOS晶体管,其源极连接第二节点,漏极连接所述第三节点,栅极连接第四节点;第一NMOS晶体管,其源极连接第三节点,漏极连接第一反相电路,栅极连接第四节点;第二反相电路,连接于第一节点与第四节点之间;第二电容,其一极连接第二节点,另一极接地;第三电容,其一极连接第二节点,另一极接地。本发明可以防止误写操作,并可以减少晶体管的数量,减少电阻的使用,从而减小芯片面积。 | ||
搜索关键词: | 电压 产生 电路 以及 存储器 | ||
【主权项】:
一种字线电压产生电路,连接于闪存单元的源线与字线之间,其特征在于,包括:电压转换电路,连接于控制信号线与第一节点之间;延迟电路,连接于所述第一节点与第一电容之间;第一电容,串联于所述延迟电路与第二节点之间;第一PMOS晶体管,连接在第一电源端与所述第二节点之间,其栅极连接第三节点;第二PMOS晶体管,连接在所述第二节点与所述第三节点之间,其栅极连接第四节点;第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的漏极连接所述第三节点,栅极连接所述第四节点,栅极与源极之间连接第一反相电路;第二反相电路,连接于所述第一节点与所述第四节点之间;第二电容,所述第二电容的一极连接所述第二节点,另一极接地;第三电容,所述第三电容的一极连接所述第二节点,另一极接地。
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