[发明专利]管芯到管芯接合以及相关联的封装构造有效

专利信息
申请号: 201510062148.2 申请日: 2015-02-05
公开(公告)号: CN104900626B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: O·G·卡尔哈德;D·马利克;R·V·马哈詹;A·P·阿卢尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/482;H01L23/535;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开内容的实施例涉及管芯到管芯接合以及相关联的集成电路(IC)封装构造。在一个实施例中,封装组件包括封装衬底、第一管芯和第二管芯,所述封装衬底具有设置在第一侧上的阻焊层以及与所述第一侧相对设置的第二侧,所述第一管芯安装在所述第一侧上并且具有通过一个或多个第一管芯级互连件来与所述封装衬底电耦合的有源侧,所述第二管芯使用一个或多个第二管芯级互连件来与所述第一管芯的所述有源侧接合,其中所述第二管芯的至少一部分设置在延伸到所述阻焊层中的空腔中。可以描述和/或要求保护其它实施例。
搜索关键词: 管芯 接合 以及 相关 封装 构造
【主权项】:
1.一种封装组件,包括:封装衬底,其具有设置在第一侧上的阻焊层和与所述第一侧相对设置的第二侧;第一管芯,其安装在所述第一侧上并且具有通过一个或多个第一管芯级互连件来与所述封装衬底电耦合的有源侧;以及第二管芯,其使用一个或多个第二管芯级互连件来与所述第一管芯的所述有源侧接合,其中,所述第二管芯的至少一部分设置在延伸穿过所述阻焊层并且延伸到所述封装衬底的设置在所述阻焊层下面的层压层中的空腔中,并且所述第二管芯的至少一部分设置在所述空腔的延伸到所述层压层中的部分中,以使得所述层压层的材料位于所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间;金属特征,其设置在所述层压层中、在所述封装衬底的所述第二侧与所述第二管芯之间,其中,所述金属特征是大体上平行于所述第二管芯的停止层并且与所述空腔直接相邻并大体上延伸跨过所述第二管芯;其中,所述空腔的延伸到所述封装衬底中的深度能够根据所述第二管芯的厚度而变化。
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