[发明专利]半导体结构及内连线结构形成方法在审
| 申请号： | 201510063614.9 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105321928A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陈彦儒;洪士平;杨大弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体结构及内连线结构形成方法。该半导体结构的内连线结构，是以倒T形的中介窗来增加内连线结构与衬底导电材料(如铜)层之间的介面可靠度。倒T形的中介窗能有效地增加中介窗的底部关键尺寸，借此，减少或消除导电材料层在高温或应力迁移产生的孔隙对内连线结构的中介窗所造成的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 连线 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于其包括：一导电层，位于该半导体结构中；一覆盖层，覆盖该导电层；一介电层，形成于该覆盖层之上；以及一内连线结构，位于该介电层与该覆盖层中，并与该导电层接触，该内连线结构具有一在该介电层处的第一尺寸以及一在该覆盖层处的第二尺寸,以及一在该覆盖层底部处的第三尺寸，该第二尺寸大于或等于该第一尺寸，当该第二尺寸等于该第一尺寸时，该第三尺寸大于该第一尺寸。
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