[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 201510065454.1 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104616976B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 基村雅洋;小路丸友则;江本哲也;奥谷学;尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 宋晓宝,向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。向基板供给疏水剂，使该基板的表面疏水化。然后，使基板干燥。从被疏水化之后到干燥为止，作为处理对象的基板保持不与水接触的状态。由此，能够抑制或防止形成于基板表面的图案的倒塌。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，包括：第一疏水化工序，将第一疏水剂供给至基板来使该基板的表面疏水化；第二疏水化工序，在所述第一疏水化工序之后进行，将与所述第一疏水剂不同的第二疏水剂供给至所述基板来使该基板的表面疏水化；干燥工序，在所述第二疏水化工序之后进行，使所述基板干燥，该基板处理方法还包括在所述第一疏水化工序或第二疏水化工序结束之后到所述干燥工序结束为止，维持所述基板的表面不与水接触的状态的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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