[发明专利]阵列基板及其断线修补方法有效
| 申请号： | 201510073541.1 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104597640B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李珊 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在有机层上对应于栅极扫描线与源漏极数据线的每一交叉口处设置通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，通孔使得本发明阵列基板上的栅极扫描线或源漏极数据线发生断线时，可以直接在断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线，使断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率和修补成功率，进而提高液晶面板产品的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 断线 修补 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板(1)，位于所述基板(1)之上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(1)之上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)之上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)之上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)之上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层(8)之上的第二钝化层(10)；其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(1)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的每一交叉口处形成有通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该通孔处形成开口(11)；所述开口(11)用于当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)断线时，在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端镭射熔接U字型长线(15)，使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。
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