[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201510075802.3 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097043B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李椙晛;丘泳埈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置包括多个数据储存区；第一内部电路，其被配置成将多个控制信号输入至多个数据储存区；以及第二内部电路，其被配置成响应于测试模式信号，来控制测试控制信号的输入定时，以及根据控制的输入定时将测试控制信号输入至多个数据储存区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：多个数据储存区；第一内部电路，其被配置成将多个控制信号输入至所述多个数据储存区；以及第二内部电路，其被配置成响应于测试模式信号，来控制测试控制信号的输入定时，并且根据控制的输入定时将所述测试控制信号输入至所述多个数据储存区，其中，所述第一内部电路包括第一接口，所述第一接口与外部控制器直接耦接并且被配置成从所述外部控制器接收所述多个控制信号，以及其中，所述第二内部电路包括第二接口，所述第二接口与外部测试器件直接耦接并且被配置成从所述外部测试器件接收所述测试控制信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510075802.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
