[发明专利]热处理方法及热处理装置有效
申请号: | 201510076277.7 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN104900517B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 藤田浩;木村贵弘 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种热处理方法及热处理装置,可以在不对基材造成损伤的情况下将形成在基材上的加热对象物升温到目标温度。通过送出辊及卷取辊,以辊对辊方式来搬送树脂的基材。在基材的表面的一部分上形成有功能层。对基材中包含必须抑制升温的升温抑制区域的供给区域,由喷出头喷出并供给纯水的液滴。若从闪光灯对基材的表面照射闪光,则将功能层升温到升温目标温度,另一方面,在基材的升温抑制区域中,水蒸发时吸收蒸发热,因此超过水的沸点的升温得到抑制。结果,可以在不对基材造成损伤的情况下将形成在基材上的功能层升温到目标温度。 | ||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种热处理方法,通过对形成有加热对象物的基材照射光而使所述加热对象物升温,并且所述热处理方法的特征在于包括以下工序:供给工序,将在低于所述加热对象物的升温目标温度的温度下发生相转变的相转变物质选择性地供给于供给区域,其中所述供给区域至少包含所述基材中必须抑制升温的升温抑制区域;以及加热工序,对附着有所述相转变物质的基材照射光,对所述加热对象物进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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