[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。

主权项

一种蚀刻方法，其是对由氧化硅构成的第一区域进行蚀刻的方法，其中，该蚀刻方法包括以下工序：暴露工序，其是将具有所述第一区域和由氮化硅构成的第二区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序，在该暴露工序中，对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻且在所述第一区域和所述第二区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；变质区域形成工序，其是通过使来源于所述碳氟化合物气体的活性种冲撞所述第二区域来在所述第二区域上形成所述堆积物的变质区域的工序；以及蚀刻工序，其是通过将所述被处理体暴露在含有稀有气体的气体的等离子体中来利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的工序，交替地重复执行将所述被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的所述暴露工序和利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的所述蚀刻工序。