[发明专利]低功率偏移存储的锁存器有效
| 申请号： | 201510081859.4 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104883180B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 马哈德万·文基德斯瓦兰;拉贾韦吕·西纳卡兰 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种低功率存储偏移的CMOS锁存器(140)，其包含例如：共用电流源(IBIAS，图3及图4)，其经布置以对偏移存储相位(504)提供预定偏置电流(例如当SAMPLE信号断言时通过电阻器R0及R1的电流)；及赋能晶体管(M3及M4)，其经布置以将分辨周期(518，当ENABLE信号断言时)期间的分辨偏置电流耦合到相应输入对装置(M1及M2)。所述低功率存储偏移的CMOS锁存器(140)任选地包含电流缩放(参见图4中的M1/M11及M2/M12w/1比例)以提供大于所述偏移存储相位(504)的所述预定偏置电流的分辨偏置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 偏移 存储 锁存器 | ||
【主权项】：
1.一种锁存器，其包括：输出级，其具有第一输出及第二输出，其中所述第一输出经布置以提供用于控制所述第二输出的第一正反馈回路，且其中所述第二输出经布置以提供用于控制所述第一输出的第二正反馈回路；及输入级，其具有电容式耦合到第一放大器的控制输入的第一输入及电容式耦合到第二放大器的控制输入的第二输入，其中在分辨相位期间，所述第一输出经选择性地耦合到所述第一放大器的第一信号输入且所述第二输出经选择性地耦合到所述第二放大器的第一信号输入，其中在偏移存储相位期间，偏置电流源是经由第一电阻器选择性地耦合到所述第一放大器的所述控制输入及所述第一信号输入，且其中在所述偏移存储相位期间，所述偏置电流源是经由第二电阻器选择性地耦合到所述第二放大器的所述控制输入及所述第一信号输入。
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