[发明专利]自对准接触部

摘要

本发明涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。

主权项

1.一种晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的间隔体对；共形高k栅极电介质层，其在所述衬底的表面上并且沿着所述间隔体对的侧壁；共形栅电极层，其（a）在所述共形高k栅极电介质层的位于所述衬底的所述表面上的部分上，并且（b）沿着所述共形高k栅极电介质层的那些沿着所述间隔体对的侧壁的部分；在所述共形栅电极层上的填充金属层；帽层，其在所述间隔体对之间并且与所述共形高k栅极电介质层、所述共形栅电极层、以及所述填充金属层中的这三个层均物理接触；邻近所述间隔体对的扩散区对；第一层间电介质（ILD）层，其与所述间隔体对直接相邻，所述第一层间电介质层基本上与所述间隔体对和所述帽层共面；第二层间电介质层，其在所述第一层间电介质层上、所述间隔体对上、以及所述帽层上；以及在所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层中的导电接触部，所述导电接触部在所述扩散区对中的一个扩散区上和所述帽层的一部分上。