[发明专利]半导体器件及形成其的方法有效
| 申请号： | 201510084863.6 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104867871B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | I.格茨;A.施门;D.佐伊卡 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件及形成其的方法。根据本发明的实施例，一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底中形成器件区。所述器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。该方法还包括在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区。该方法还包括通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成器件区，所述器件区从衬底的一个侧壁连续延伸到衬底的相对侧壁；在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为有源区；在所述沟槽内形成电介质材料，其中每个沟槽包括包含上部分和下部分的侧壁，其中所述电介质材料在侧壁上的厚度沿着侧壁从所述上部分向所述下部分减小；在所述器件区上形成前侧金属化层，所述前侧金属化层延伸到所述沟槽中并且覆盖所述沟槽内的电介质材料的顶部部分；以及通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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