[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供高耐压、低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一电极，在第一半导体层上；第二电极及第三电极，沿着从第一电极朝向第一半导体层的第一方向延伸，具有位于第一半导体层中的第一端和与第一电极相接的第二端；第二导电型的第二半导体层，在第二电极与第三电极之间设置在第一半导体层上；第二导电型的第三半导体层，在第一半导体层与第二电极之间以及第一半导体层与第三电极之间；第一绝缘膜，在第二电极及第三电极与第三半导体层之间；第一导电型的第四半导体层，在第二半导体层上，与第一电极电连接；第四电极，穿过第四半导体层在第一半导体层中延伸，与第四、第二半导体层及第一半导体层之间隔有第二绝缘膜。

主权项

一种半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体层；第一电极，设置在所述第一半导体层之上；第二电极，沿着从所述第一电极朝向所述第一半导体层的第一方向延伸，具有位于所述第一半导体层中的第一端和与所述第一电极相接的第二端；第三电极，沿着所述第一方向延伸，具有位于所述第一半导体层中的第一端和与所述第一电极相接的第二端；第二导电型的第二半导体层，在所述第二电极与所述第三电极之间设置在所述第一半导体层上；第二导电型的第三半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二电极之间、以及所述第一半导体层与所述第三电极之间；第一绝缘膜，设置在所述第二电极与所述第三半导体层的一方之间、以及所述第三电极与所述第三半导体层的另一方之间；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第二半导体层上，与所述第一电极电连接；以及第四电极，穿过所述第四半导体层及所述第二半导体层而延伸到所述第一半导体层中，与所述第四半导体层、所述第二半导体层及所述第一半导体层之间隔有第二绝缘膜。