[发明专利]一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201510094943.X | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104681801B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周文利;李阳;辛超;朱宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法。复合电极包括Cu/Ni合金层和覆盖在Cu/Ni合金层上的石墨烯薄膜；其中，Cu/Ni合金层由Ni膜和覆盖在Ni膜上Cu膜发生Ni原子与Cu原子的相互扩散形成，Ni膜与Cu膜的厚度比为1(3～10)。本发明避免了石墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏，减少了石墨烯缺陷的数目，通过调整Ni膜与Cu膜的厚度，采用分段升温的CVD工艺，获得高质量的石墨烯，增强了石墨烯对Cu/Ni合金的保护能力，得到的复合电极具有优异的抗腐蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 cu ni 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/Cu/Ni复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基底上淀积一层Ni膜，再在Ni膜上淀积一层Cu膜，得到Cu/Ni复合金属基底；其中，Ni膜与Cu膜的厚度比为1:(3～10)；(2)利用CVD方法，在Cu/Ni复合金属基底上生长石墨烯薄膜；所述步骤(2)进一步包括如下步骤：(A1)在Ar和H2的混合气氛中，升温至400℃～800℃，并保温3h～5h；(A2)继续升温至1000℃～1050℃；(A3)向Ar和H2的混合气氛中通入碳氢化合物作为碳源，保温15min～30min；(A4)在Ar和H2的混合气氛中，降温至室温。
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