[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201510095460.1 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105448994A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 大田浩史;泉泽优;小野升太郎;山下浩明;奥畠隆嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可一面抑制导通电阻增加，一面提升雪崩耐量的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1导电型的第1半导体区域、元件区域、包围元件区域的终端区域、及第2电极。元件区域包括：第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、栅极电极、及第1电极。终端区域具有第2导电型的第5半导体区域、及第2导电型的第6半导体区域。第5半导体区域是设置在第1半导体区域内。第5半导体区域是在第2方向上设置有多个。第6半导体区域是设置在第1半导体区域与第5半导体区域之间。第6半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第5半导体区域的第2导电型的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第1导电型的第1半导体区域、元件区域、包围所述元件区域的终端区域、及与所述第1半导体区域电连接的第2电极，所述元件区域包括：第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，在第1方向上延伸，且在对所述第1方向正交的第2方向上设置有多个；第2导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域上；第1导电型的第4半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上；栅极电极，隔着第1绝缘膜，而与所述第1半导体区域、所述第3半导体区域、及所述第4半导体区域相邻；及第1电极，与所述第4半导体区域电连接；所述终端区域包括：第2导电型的第5半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且在所述第2方向上设置有多个；及第2导电型的第6半导体区域，设置在所述第1半导体区域与所述第5半导体区域之间，且具有比所述第5半导体区域的第2导电型的杂质浓度高的第2导电型的杂质浓度。
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