[发明专利]半导体芯片以及半导体封装

摘要

本发明提供能够提高差动信号的差动特性的半导体芯片以及半导体封装。实施方式的半导体封装具备基底基板和被装载在基底基板上的半导体芯片。半导体芯片具备同相用焊盘电极，该同相用焊盘电极与差动电路的同相端子电连接，且被配置在IO单元区域的上方。半导体芯片具备反相用焊盘电极，该反相用焊盘电极与差动电路的反相端子连接，且被配置在IO单元区域的上方。

主权项

1.一种半导体封装，其中，该半导体封装具备：基底基板；以及半导体芯片，被装载在所述基底基板上，所述半导体芯片具备：核心区域，被配置在所述半导体芯片的中央部，设置有内部电路；第一IO单元区域、第二IO单元区域和第三IO单元区域，在所述核心区域的周边沿着所述半导体芯片的边被配置为一列，设置有差动放大电路；第一金属层和第二金属层，被配置在所述第一IO单元区域至第三IO单元区域各自的上层；第一同相用焊盘电极，经由所述第一IO单元区域的第一金属层而与所述第一IO单元区域的差动放大电路的同相端子电连接，被配置在所述第一IO单元区域的第一金属层的上层；第一反相用焊盘电极，经由所述第一IO单元区域的第二金属层而与所述第一IO单元区域的差动放大电路的反相端子电连接；以及第二同相用焊盘电极，经由所述第二IO单元区域的第一金属层而与所述第二IO单元区域的差动放大电路的同相端子电连接，所述第一金属层和所述第二金属层沿着与所述半导体芯片的边垂直的方向即第一方向延伸，在所述第一IO单元区域的第二金属层以及所述第二IO单元区域的第一金属层的上层配置所述第一反相用焊盘电极以及所述第二同相用焊盘电极，沿着与所述半导体芯片的边平行的第二方向配置所述第一同相用焊盘电极以及所述第一反相用焊盘电极，沿着与所述第二方向平行的第三方向配置所述第二同相用焊盘电极，所述半导体封装还具备：第一线，电连接位于两个列之中的所述半导体芯片的外周侧的第一列的第一组的第一同相用焊盘电极、和被设置在所述基底基板上的第一插脚；以及第二线，电连接所述第一组的所述第一反相用焊盘电极、和被设置在所述基底基板上的第二插脚，所述第一线的长度与所述第二线的长度相等。