[发明专利]一种条状InAs纳米带及其制备和应用有效
| 申请号： | 201510098082.2 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104695020B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 潘安练;马亮;朱小莉 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/64;C30B25/02 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种条状InAs纳米带及其制备和应用，属于半导体材料制备与应用技术领域。本发明所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm‑4μm；长度为5‑50μm。本发明通过先沉积得到InAs纳米线，然后控制调整蒸气中In与As的摩尔比为100‑10001，使得InAs纳米线在沿长度方向生长的同时也往宽度方向生长；得到了结晶质量高的条状InAs纳米带。本发明所设计以及制备的条状InAs纳米带用于集成半导体器件的制备时具有高迁移率、高集成度、好操作等方面的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 条状 inas 纳米 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种条状InAs纳米带，其特征在于：所述InAs纳米带是化学式为InAs 的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500 nm‑4 μm；长度为5‑50 μm。
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