[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510099075.4 申请日: 2015-03-06
公开(公告)号: CN104934400A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 西内秀夫;栂嵜隆;田岛尚之 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供能够谋求小型化、可靠性的提高的半导体装置。根据一个实施方式,第一半导体元件的第一电极连接于第一导电体,第一半导体元件的第二电极连接于第二导电体,第一半导体元件的控制电极连接于第一信号端子。第二半导体元件的第一电极连接于第一导电体,第二半导体元件的第二电极连接于第二导电体。第三半导体元件的第一电极连接于第三导电体,第三半导体元件的第二电极连接于第四导电体,第三半导体元件的控制电极连接于第二信号端子。第四半导体元件的第一电极连接于第三导电体,第四半导体元件的第二电极连接于第四导电体。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:第一半导体元件,设在第一导电体与第二导电体之间,第一半导体元件的第一电极连接于上述第一导电体,第一半导体元件的第二电极连接于上述第二导电体,第一半导体元件的控制电极连接于第一信号端子;第二半导体元件,设在上述第一导电体与上述第二导电体之间,第二半导体元件的第一电极连接于上述第一导电体,第二半导体元件的第二电极连接于上述第二导电体;第三半导体元件,设在第三导电体与第四导电体之间,第三半导体元件的第一电极连接于上述第三导电体,第三半导体元件的第二电极连接于上述第四导电体,第三半导体元件的控制电极连接于第二信号端子;第四半导体元件,设在上述第三导电体与上述第四导电体之间,第四半导体元件的第一电极连接于上述第三导电体,第四半导体元件的第二电极连接于上述第四导电体;第一电力端子,第一电力端子的一端连接于上述第二导电体,第一电力端子的另一端相比于上述第二导电体向外侧延伸;第二电力端子,将上述第一导电体和上述第四导电体连接,相比于上述第一导电体及上述第四导电体向外侧延伸;以及第三电力端子,第三电力端子的一端连接于上述第三导电体,第三电力端子的另一端相比于上述第三导电体向外侧延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510099075.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top