[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510102964.1 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105006447B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 耶罗默·纪尧姆·安娜·迪布瓦;皮特·威塞尔斯;高拉夫·辛格·比什特;贾亚拉·蒂莱高文登;埃里克·奥姆斯;纳维恩·阿格拉沃尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括形成包括针状缺陷的沟槽，在包括针状缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物，通过施加氧化物刻蚀除去在针状缺陷上的部分高密度氧化物和线形氧化物，和在施加氧化物刻蚀之后，通过多晶硅刻蚀回刻蚀针状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成包括针状缺陷的沟槽；在包括针状缺陷的沟槽上形成线形氧化物；在所述包括针状缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物；通过应用氧化物刻蚀去除针状缺陷上的部分高密度等离子体氧化物和线形氧化物；和在应用氧化物刻蚀步骤之后，通过应用硅刻蚀来回刻蚀针状缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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