[发明专利]一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料有效
申请号: | 201510103020.6 | 申请日: | 2015-03-09 |
公开(公告)号: | CN104715805B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 彭海;孙伟 | 申请(专利权)人: | 无锡海古德新技术有限公司 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400 | 代理人: | 高之波,邬玥 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料,由如下重量份的组分组成,银钯金属粉75~85份,玻璃粉6~12份,有机载体10~20份。本发明所提供的一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料,主要面对氮化铝(AlN)衬底研制的,适应于制造出大功率、高可靠、高频率、体积小、性能稳定的氮化铝(AlN)功率负载产品;采用的玻璃体系不含有剧毒氧化铅,且具有低熔点、适度膨胀和良好湿润性能等优点,不会与氮化铝(AlN)衬底发生反应,制得的厚膜导体层导电性能好,与氮化铝(AlN)衬底的附着力强。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 氮化 衬底 无铅厚膜 导体 浆料 | ||
【主权项】:
一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料,其特征在于,由如下重量份的组分组成,银钯金属粉75~85份,玻璃粉6~12份,有机载体10~20份,所述玻璃粉包括如下成分:SiO2、B2O3、ZnO、Bi2O3、ZrO2、MgO,所述玻璃粉的各组分的重量百分比为:SiO2为10~30%,B2O3为10~20%,ZnO为35~55%,Bi2O3为5~15%,ZrO2为1~4%,MgO为1~4%。
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